賽默飛CID檢測(cè)器作用過程介紹
CID是一種電荷注入器件，其基本結(jié)構(gòu)與CCD相似，也是一種MOS結(jié)構(gòu)，當(dāng)柵極上加上電壓時(shí)，表面形成少數(shù)載流子的勢(shì)阱，入射光子在勢(shì)阱鄰近被吸收時(shí)，產(chǎn)生的電子被收集在勢(shì)阱里，其積分過程與CCD一樣。
賽默飛CID檢測(cè)器檢測(cè)單元包括兩個(gè)導(dǎo)電性的電極和引線，放置在一個(gè)很薄的硅氧化物或氮化物絕緣層上，即橫向電極和縱向電極，在橫向電極上有一個(gè)讀數(shù)放大器，兩個(gè)電極之間加以偏壓，開始積分時(shí)，先在橫向電極上加以很小的正電壓，而在縱向電極上加以很小的負(fù)電壓，光照在賽默飛CID檢測(cè)器表面時(shí)，產(chǎn)生的正電荷向縱向電極上聚集，當(dāng)讀數(shù)時(shí)，將橫向電極上的正電壓去掉，同時(shí)將縱向電極上的電壓轉(zhuǎn)為小的正電壓，電荷從縱向電極上轉(zhuǎn)移到橫向電極上，即可讀出在橫向電極上聚集的電荷所產(chǎn)生的電壓。又經(jīng)過一段積分后，將縱向電極上加以負(fù)電壓，橫向電極上加以正電壓，此時(shí)電荷從橫向電極轉(zhuǎn)移到縱向電極，此時(shí)又可讀出橫向電極上的電壓變化，即第二次讀數(shù)；然后再在橫向電極上加以負(fù)電壓，縱向電極上加以正電壓，使電荷再轉(zhuǎn)移回到橫向電極，并重復(fù)讀數(shù)的過程，當(dāng)全部積分結(jié)束，進(jìn)行讀數(shù)時(shí)，在兩個(gè)電極上同時(shí)加以正電壓，使電荷注入CID基體，此時(shí)讀出橫向電極上電壓的變化即為讀數(shù)的結(jié)果。
賽默飛CID檢測(cè)器在整個(gè)光譜分析區(qū)范圍內(nèi)有比較高的靈敏度，更適合微弱光的檢測(cè)，但他對(duì)弱光的檢測(cè)是基于長(zhǎng)時(shí)間積分的基礎(chǔ)上的，因?yàn)樗且环N積分型檢測(cè)器，由于其具有底的分布電容，因此其讀出噪聲較低，暗電流(受溫度影響，需要制冷恒溫環(huán)境)也明顯比PMT的低。不論從光子效率、暗電流、讀出噪聲、多元素同時(shí)分析、線形范圍等各方面來說其性能都具有明顯的優(yōu)勢(shì)，是以后原子吸收光譜儀發(fā)展的一種必然局勢(shì)。
版權(quán)所有 上海艾茵精密儀器科技有限公司 GoogleSitemap 管理登陸 技術(shù)支持：化工儀器網(wǎng)
手機(jī)
13162968301
在線客服
